來源: 高應(yīng)變率力學(xué)
雖然力學(xué)性能的提高擴(kuò)大了潛在應(yīng)用的范圍,但對最終材料性能起關(guān)鍵作用的增材制造鋁合金微觀結(jié)構(gòu)卻很難理解,而且變化很大。俄羅斯的V. Romanova等通過微力學(xué)模擬,對選擇性激光熔化法(SLM)制造的鋁合金中的晶粒形狀和織構(gòu)效應(yīng)進(jìn)行了數(shù)值研究。采用分步堆積法(SSP)生成了這些材料典型的三維晶粒形態(tài)。針對選擇性激光熔化過程中固有的隨機(jī)和立方織構(gòu)柱狀晶粒的兩種模型,進(jìn)行了單軸拉伸的晶體塑性有限元模擬。計算結(jié)果的對比分析表明,微觀應(yīng)力場和應(yīng)變場之間存在很大差異。立方體織構(gòu)柱狀晶粒的存在使熔池內(nèi)部的應(yīng)力應(yīng)變分布更加均勻,從而減少了細(xì)小等軸晶的高應(yīng)力集中。
在選擇性激光熔化(SLM)技術(shù)中,高功率激光束沿著預(yù)定的激光路徑在基底上局部熔化金屬粉末。熔化的金屬迅速凝固,其表面重新涂上一層新的粉末。重復(fù)這些步驟,逐層制造出零件。SLM微觀結(jié)構(gòu)則呈現(xiàn)出精細(xì)的蜂窩狀樹枝狀結(jié)構(gòu),其中幾百納米的α-Al樹枝狀晶胞完全被薄共晶層包裹(圖1c)。由于高含量的硅粒子,共晶層幾乎不能發(fā)生塑性變形,成為位錯運(yùn)動的屏障。為了改善SLM合金的力學(xué)性能,需要對其進(jìn)行熱處理,以破壞共晶層,使硅顆粒的分布更加均勻。
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圖1 不同空間尺度下SLM AlSi10Mg合金的分層微觀結(jié)構(gòu):a)FSE圖像,b)EBSD圖,c)蜂窩狀樹枝狀亞結(jié)構(gòu),d)熔池中硅分布的EDS圖
在SLM Al-Si合金的晶粒尺度上可以觀察到更為復(fù)雜的結(jié)構(gòu),在每個熔池中形成兩種截然不同的晶粒形態(tài)。熔池中心區(qū)域由拉長的柱狀晶粒組成,而熔池邊界則是細(xì)小的等軸晶粒(圖1b)。近邊界區(qū)域的細(xì)晶粒主要以隨機(jī)取向?yàn)樘卣,而柱狀晶粒的晶體學(xué)取向則受到一系列工藝參數(shù)的強(qiáng)烈影響。沿熔池邊界顯示了高濃度的硅,這應(yīng)該是這些材料復(fù)雜變形行為的另一個原因(圖1d)。
增材制造中有掃描方向(SD)、橫向(TD)和構(gòu)建方向(BD)(圖2)。圖2g所示為一個多晶模型,用于擬合SLM AlSi10Mg合金的晶粒幾何形狀。激光束掃描粉末層的選定區(qū)域時,會產(chǎn)生重熔和凝固材料的細(xì)長平行軌道。通常情況下,SLM生產(chǎn)的鋁合金會在軌道邊界形成直徑為5-10μm的等軸晶粒,而在軌道的中心部分則會出現(xiàn)徑向柱狀晶粒,晶粒形狀縱橫比約為0.1。
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圖2 具有隨機(jī)(a-c)和織構(gòu)柱狀晶粒(d-f)的計算模型:柱狀晶粒(a,d)的反極圖(IPF)和TD(b,e)和SD(c,f)的晶粒結(jié)構(gòu),以及實(shí)驗(yàn)IP 圖(g)和AlSi10Mg合金的實(shí)驗(yàn)和計算應(yīng)力應(yīng)變曲線(h)
為了再現(xiàn)實(shí)驗(yàn)晶粒的幾何形狀,采用了SSP構(gòu)建SLM鋁合金的典型晶粒模型。首先,在180×250×180的網(wǎng)格上以1μm的網(wǎng)格步長生成了包含9749個晶粒的周期結(jié)構(gòu)。按照圖2g所示的掃描模式建立了三層晶粒,每層對應(yīng)一個熔池的高度。晶粒種子沿著激光軌跡的假想邊界散布。所有晶粒的生長都遵循相同的生長規(guī)律,即第n個晶核的形式為:
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其中xi和xi(n)分別表示任意晶胞和第n個晶核的坐標(biāo),所有晶核的R在SSP生成的每一步中以Δr遞增。為了繼續(xù)下一層晶粒的生長,前一層晶粒的部分區(qū)域會被清除,以消除它們與當(dāng)前熔池區(qū)域的重疊,模仿材料的重熔。雖然每個熔池中的所有晶粒都以相同的方式生長,但與位于上邊界附近的晶粒不同,散射區(qū)域內(nèi)的晶粒生長空間有限。在SSP生成過程中,占據(jù)邊界區(qū)域的晶粒逐漸填滿熔池區(qū)域,形成類似于實(shí)驗(yàn)中觀察到的細(xì)長柱狀晶粒(圖2g)。
為了研究織構(gòu)效應(yīng),對熔池內(nèi)具有相同晶粒形態(tài)但不同晶體學(xué)取向的柱狀晶粒模型進(jìn)行了兩組計算,如圖2b-c、e-f中反極圖(IPF)顏色所示。根據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),兩種模型中的柱狀晶粒分別具有隨機(jī)取向(圖2a-c)和織構(gòu)(圖2d-f)的特征。在這兩種情況下,細(xì)小的等軸晶粒具有相同的取向。
晶粒的本構(gòu)行為是基于晶體塑性模型來描述的,該模型以小應(yīng)變?yōu)榛A(chǔ)。晶體塑性模擬中的一個挑戰(zhàn)性問題是描述剪切阻力并適當(dāng)考慮強(qiáng)化機(jī)制。本文中采用唯象模型來描述臨界分切應(yīng)力(CRSS),以減少計算和實(shí)驗(yàn)成本。鑄造和SLM AlSi10Mg合金的共同特點(diǎn)是其屈服強(qiáng)度取決于枝晶亞基結(jié)構(gòu)。枝晶晶胞直徑越小,屈服強(qiáng)度越高。因此,與鑄造合金相比,具有0.4-1μm樹枝狀晶胞的SLM鋁合金的屈服強(qiáng)度要高得多。在此基礎(chǔ)上,計算了SLM鋁多晶體的剪切阻力:
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其中,是單晶體的CRSS值。第二項(xiàng)是晶界強(qiáng)化的Hall-Petch關(guān)系,每個晶粒的晶粒尺寸D都是單獨(dú)計算的。第三項(xiàng)是由于合金中存在共晶網(wǎng)絡(luò)而導(dǎo)致的τcrss值增加,是枝晶單元的平均尺寸。對于本文中的SLM材料,擬合常數(shù)k2不為零。第四項(xiàng)描述了應(yīng)變硬化與等效塑性應(yīng)變的函數(shù)關(guān)系:
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其中a1、a2、b1和b2是根據(jù)實(shí)驗(yàn)應(yīng)力-應(yīng)變曲線選擇的。鑄造模型和SLM模型的均質(zhì)化應(yīng)力應(yīng)變曲線與相應(yīng)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的對比見圖2h。<σ>是多晶模型所有積分點(diǎn)的平均von Mises應(yīng)力,ε是工程應(yīng)變。在本研究中,選擇和的參數(shù)是為了不考慮SLM鋁合金中出現(xiàn)的蜂窩狀樹枝狀亞結(jié)構(gòu)的影響。有研究表明,退火會使枝晶結(jié)構(gòu)消失,而SLM加工中固有的晶粒結(jié)構(gòu)和織構(gòu)只表現(xiàn)出微小的變化。
在本研究中,SLM晶粒結(jié)構(gòu)受到沿TD方向的拉伸加載。兩種模型的平均響應(yīng)略有不同,但在晶粒尺度上形成的應(yīng)力模式卻明顯不同。在這兩種計算中,應(yīng)力場在加載的彈性階段就已經(jīng)很不均勻(圖3a,b)。在熔池邊界附近和熔池內(nèi)部形成了兩種不同的應(yīng)力模式,分別與等軸晶粒和柱狀晶粒的存在有關(guān)。在立方體織構(gòu)柱狀晶粒區(qū)域,應(yīng)力明顯低于平均應(yīng)力值,甚至遠(yuǎn)低于隨機(jī)取向的柱狀晶粒中形成的應(yīng)力(圖3a)。
局部應(yīng)力集中產(chǎn)生于晶粒邊界:晶粒取向差越大,近邊界區(qū)域產(chǎn)生的應(yīng)力就越大。如圖2e、f所示,當(dāng)IPF投影到TD上時,底層熔池左側(cè)的柱狀晶粒呈白色;當(dāng)IPF投影到SD上時,該晶粒呈粉紅色。這導(dǎo)致該晶粒的邊界出現(xiàn)明顯的應(yīng)力集中(圖3d)。然而,在隨機(jī)取向晶粒的邊界附近還觀察到許多應(yīng)力集中區(qū)域(圖3a、c、e)。具有緊密取向的織構(gòu)晶粒顯示出更均勻的應(yīng)力分布(圖3b)。
兩個模型中具有相同取向的等軸晶粒池邊界區(qū)域,但相同晶粒所承受的應(yīng)力卻存在明顯差異,這歸因于柱狀晶粒取向的影響?棙(gòu)晶粒抵抗外加載荷的能力較低,部分減少了相鄰等軸晶粒區(qū)域的應(yīng)力,從而減少了經(jīng)歷高應(yīng)力集中的晶粒部分。
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圖3 拉伸應(yīng)變?yōu)?.1(a、b)和5%(c-f)時,隨機(jī)晶粒(a、c、e)和織構(gòu)柱狀晶粒(b、d、f)的SLM鋁模型表面(a-d)和中間部分(e、f)的等效應(yīng)力場
圖3c-f顯示了5%拉伸應(yīng)變時SLM模型表面和中間部分的等效應(yīng)力分布。在這兩種情況下,與表面晶粒相比,中間部分產(chǎn)生的應(yīng)力更高?蓪LM鋁合金視為一種復(fù)合結(jié)構(gòu),其中每個熔池都被視為一個特定的結(jié)構(gòu)元素,通過一層較硬的細(xì)晶粒層與其他元素隔開。這與模型側(cè)邊形成的變形引起的表面形態(tài)(圖4d)相吻合。在這兩種情況下,熔池的中心部分都以織構(gòu)柱狀晶粒為特征。作為單獨(dú)的結(jié)構(gòu)元素,熔池往往會發(fā)生相對移動。因此,在初始變形階段,熔池邊界就已在表面上清晰可見(圖4a),并在進(jìn)一步加載時變得更加明顯(圖4b-c)。
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圖4 SLM AlSi10Mg合金在15%(a)和20%單軸壓縮(b、c)條件下的實(shí)驗(yàn)表面圖像,以及在5%拉伸應(yīng)變下具有立方體紋理柱狀晶粒的模型中的表面圖案(d)
與應(yīng)力分析結(jié)果一致,隨機(jī)取向柱狀晶粒模型和織構(gòu)柱狀晶粒模型的等效塑性應(yīng)變場顯示出明顯的差異(圖5)。隨機(jī)取向模型的塑性應(yīng)變極不均勻,自由表面的局部應(yīng)變最大。而織構(gòu)柱狀晶粒在表面和中間部分都表現(xiàn)出更均勻的塑性應(yīng)變。
考慮到斷裂,分析熔池邊界區(qū)域的塑性應(yīng)變分布尤為重要。SLM Al-Si合金的熔池邊界沿線硅含量較高(圖1d),會大大降低晶粒的變形能力,這些區(qū)域可能成為微裂紋成核的來源。在這兩個模型中,高塑性應(yīng)變的擴(kuò)展區(qū)域都是沿著熔池邊界形成的(圖5虛線區(qū)域),在相鄰熔池之間形成了一層強(qiáng)烈變形的材料層(圖4c)。一些柱狀晶粒具有類似的塑性變形(圖5),但其塑性變形能力較低,熔池邊界區(qū)域更有可能形成裂紋核。在相同拉伸度下,隨機(jī)取向的柱狀晶粒鄰近的細(xì)晶粒積累的塑性應(yīng)變比位于立方體織構(gòu)區(qū)域的晶粒高(圖5a-d),更容易出現(xiàn)第一道微裂紋。
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圖5 拉伸應(yīng)變?yōu)?%時,帶有隨機(jī)晶粒(a、c)和織構(gòu)柱狀晶粒(b、d)的SLM鋁模型表面(a、b)和中間部分(c、d)的等效塑性應(yīng)變分布
相關(guān)成果以“Effects of the grain shape and crystallographic texture on the grain-scale mechanical behavior of additively manufactured aluminum alloys”為題發(fā)表在Additive Manufacturing上,第一作者是V. Romanova,通訊作者是O. Zinovieva
原文鏈接:https://doi.org/10.1016/j.addma.2021.102415
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